芯片的出光面是什么晶面?側(cè)邊是什么晶面?
做過LED或者LD芯片的童鞋應(yīng)該會了解到外延基板晶向問題。比如在激光芯片中,常使用(110)晶面作為解離面,解離面比較光滑,具有較高的反射率,因此即便是不鍍減反膜和高反 膜芯片端面也有大概30%的反射率。
開始先提出兩個問題:
1)一般砷化鎵外延是在(100)晶面基板上生長起來的。芯片Die的解離面是(110),基板大定位邊所在面是(0,-1,-1),小平邊是次參考面(0,-1,1)。如下圖根據(jù)基板,確定die解離劃裂線方向,和die的六個面所處的晶面。
下圖芯片的出光面是什么晶面?側(cè)邊是什么晶面?分別和上表面成多少度角?
2)晶面為什么要偏轉(zhuǎn)15°?
回答以上問題,需要回顧一下,砷化鎵的晶格結(jié)構(gòu),是屬于固體物理的知識。
砷化鎵晶格結(jié)構(gòu)
上圖是砷化鎵的晶格結(jié)構(gòu)
砷化鎵晶格是由兩個面心立方(fcc)的子晶格(格點(diǎn)上分別是砷和鎵的兩個子晶格)沿空間體對角線位移1/4套構(gòu)而成。這種晶體結(jié)構(gòu)在物理學(xué)上稱之為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。
溫習(xí)一下晶格晶向的知識點(diǎn)
因此晶向[u v w]是一個射線,起點(diǎn)是原點(diǎn),過uvw坐標(biāo)的一個點(diǎn)連接而成。
<uvw>尖括號是晶向族,包括多種組合。
如上圖 (221)晶面垂直于【221】晶向
如上圖是(100)晶面的砷化鎵基板,第一幅是從正面俯視,如果要切割出{110}面的解離面,該如何下刀呢?
思考一下,下期再詳寫
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