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支持需要TB級帶寬的加速器，用于人工智能／機器學習（AI ／ ML）訓練應用

完全集成的HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng)，由經(jīng)過驗證的PHY和控制器組成，在先進的Samsung 14／11nm FinFET工藝上經(jīng)過硅驗證

擁有無與倫比的系統(tǒng)專業(yè)知識作為后盾，為客戶提供中介層和封裝參考設計支持，以加快產(chǎn)品上市時間

加利福尼亞州圣何塞2021年5月25日 ／美通社／ －－ Rambus Inc．（納斯達克股票代碼：RMBS）作為業(yè)界領先的芯片和IP核供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全。今天宣布推出Rambus HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng)，該子系統(tǒng)包括一個完全集成的PHY和控制器，在三星先進的14 ／ 11nm FinFET工藝上經(jīng)過硅驗證。 通過利用30多年的信號完整性專業(yè)知識，Rambus解決方案的運行速度高達3．2 Gbps，可提供410 GB ／ s的帶寬。 這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求，此類加速器針對性能要求最為嚴苛的AI ／ ML訓練和高性能計算（HPC）應用。

三星電子設計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領先的內(nèi)存接口設計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術結合在一起。AI和HPC系統(tǒng)的設計人員可以使用HBM2E內(nèi)存實現(xiàn)平臺設計，利用三星先進的14 ／ 11nm工藝，以達到無與倫比的性能水平�！�

完全集成的，可投入生產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以3．2 Gbps的速度運行，為設計人員在平臺實現(xiàn)上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作，通過利用三星的14／11nm工藝和先進的封裝技術對HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP核進行硅驗證。

Rambus IP部門總經(jīng)理Matt Jones表示：“由于硅片的運行速度高達3．2 Gbps，客戶可以為自己的設計留出足夠的余地來實現(xiàn)HBM2E存儲器子系統(tǒng)�？蛻魧⑹芤嬗谖覀兊娜�面支持，其中包括2．5D封裝和中介層參考設計提供，有助于確保客戶一次到位成功實現(xiàn)。”

Rambus HBM2E內(nèi)存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點：

通過單個HBM2E DRAM 3D器件實現(xiàn)每引腳3．2 Gbps的速度，提供410 GB ／ s的系統(tǒng)帶寬

硅HBM2E PHY和控制器完全集成并經(jīng)過驗證，可降低ASIC設計的復雜性并加快上市時間

作為IP授權的一部分，提供包含2．5D封裝和中介層參考設計

提供Rambus系統(tǒng)和SI ／ PI專家的技術支持，幫助ASIC設計人員確保設備和系統(tǒng)的最大信號與電源完整性

具有特色的LabStation?開發(fā)環(huán)境，可協(xié)助客戶回片后快速點亮系統(tǒng)，校正和偵錯

支持高性能應用程序，包括最先進的AI ／ ML訓練和高性能計算（HPC）系統(tǒng)