前言:

目前,臺(tái)積電在EUV工具數(shù)量和經(jīng)驗(yàn)方面領(lǐng)先于英特爾數(shù)英里,這是先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵。

如果臺(tái)積電和英特爾以相同的速度購(gòu)買工具和技術(shù),臺(tái)積電將保持領(lǐng)先地位。

如果英特爾想從臺(tái)積電手中奪回摩爾定律競(jìng)賽的領(lǐng)先地位,那么它迫切需要ASML的幫助。

作者 | 方文

圖片來(lái)源 |   網(wǎng) 絡(luò)

現(xiàn)階段臺(tái)積電地位難以撼動(dòng)

全球所有的芯片,臺(tái)積電幾乎生產(chǎn)了一半。不僅在產(chǎn)能上,在技術(shù)上也領(lǐng)先同行競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

2020年二季度量產(chǎn)5nm工藝,3nm工藝預(yù)計(jì)在2022年年底完成量產(chǎn)。就連2nm工藝早已提上日程,一切順利的話會(huì)在2026年面世。

二季度財(cái)報(bào)顯示,臺(tái)積電7nm、5nm等先進(jìn)工藝收入是其總營(yíng)收的一半,高端工藝芯片占據(jù)了全球80%以上。

目前,臺(tái)積電在EUV工具數(shù)量和經(jīng)驗(yàn)方面(這是先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵)遙遙領(lǐng)先于英特爾。

臺(tái)積電可能在沒(méi)有EUV的情況下領(lǐng)先,但EUV確實(shí)讓臺(tái)積電加速拉開(kāi)和英特爾和三星的距離,并創(chuàng)造了今天存在的巨大摩爾定律領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

如果臺(tái)積電和英特爾以相同的速度購(gòu)買工具和技術(shù),臺(tái)積電將保持領(lǐng)先地位。

英特爾已確定追趕臺(tái)積電的計(jì)劃

如今,英特爾方面已經(jīng)明確表示要在3年內(nèi)完成10nm到20A工藝芯片的開(kāi)發(fā)制造任務(wù),還計(jì)劃在2025年超越臺(tái)積電重新回歸芯片制造第一名。

也就是說(shuō),英特爾要想超越臺(tái)積電,必然是要優(yōu)先獲得更先進(jìn)的光刻機(jī),只有獲得更先進(jìn)的光刻機(jī),才能夠研發(fā)制造更先進(jìn)制程的芯片。

另外,只有獲得更多先進(jìn)的光刻機(jī),才能夠保證先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能和良品率,ASML自然是越發(fā)重要了。

為了重新奪回半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,英特爾有很多事情要做,有很多事情需要證明,也有很多錢要花。

晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,致使不少企業(yè)都提升了對(duì)芯片業(yè)務(wù)的重視程度。其中,英特爾在更換CEO后,更是確立了要與臺(tái)積電搶客戶的新目標(biāo)。

雖然從實(shí)力來(lái)看,目前,英特爾與臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域仍有巨大差距。但英特爾并非是沒(méi)有機(jī)會(huì)反超臺(tái)積電。

對(duì)于晶圓代工廠商而言,客戶、技術(shù)以及產(chǎn)能是決定其地位的關(guān)鍵。英特爾雖然目前在上述三個(gè)方面,全面落后于對(duì)手。

要知道的是,英特爾本身就是ASML股東。而且雖然世界上只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī),但EUV光刻機(jī)上70%多的零件都產(chǎn)自美國(guó)。

考慮到美國(guó)正在扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,以及英特爾美企的身份,ASML偏愛(ài)英特爾并不令人意外。

更何況ASML公司已經(jīng)將總部搬到了美國(guó),這也有助于兩家企業(yè)建立更親密的聯(lián)系。

High-NA EUV是英特爾的下一拐點(diǎn)

9月2日,ASML設(shè)計(jì)的新一代極紫外光刻機(jī)基本已經(jīng)完成,目前正在美國(guó)康涅狄格州的威爾頓安裝最后的部分組件。

能購(gòu)買到設(shè)備與技術(shù),并不意味著英特爾就具備超車的條件,因?yàn)榕_(tái)積電也能獲得同等的供應(yīng)條件。

High-NA EUV即高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備,也就是下一代光刻機(jī),最新EUV設(shè)備NA數(shù)值孔徑能從目前的0．33提升到0．5。

High-NA EUV光刻機(jī),之前預(yù)計(jì)是在2023年問(wèn)世,現(xiàn)在推遲到了2025-2026年。

ASML需要另一個(gè)早期采用者來(lái)推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。

High-NA EUV的推出是英特爾的下一個(gè)拐點(diǎn),正如EUV是突破臺(tái)積電的一個(gè)拐點(diǎn)。

值得一提的是,新一代EUV光刻機(jī)采用更大的數(shù)值孔徑來(lái)進(jìn)一步縮小芯片上的元件尺寸。

這種方式允許光線以不同角度穿過(guò)光罩,從而增加圖案成像的分辨率。這就需要更大的鏡子和新的軟硬件來(lái)精確控制組件蝕刻。

在英特爾的生產(chǎn)問(wèn)題的幫助下,臺(tái)積電較早采用EUV幫助它在過(guò)去幾年中領(lǐng)先于英特爾和三星。

如果ASML把英特爾看作High-NA EUV的重要參與者,并給他們承諾,并且英特爾比臺(tái)積電優(yōu)先獲得工具作為其獎(jiǎng)勵(lì),那么這可能是讓英特爾在臺(tái)積電之前重新回到摩爾定律游戲中的區(qū)別。

英特爾拿到EUV光刻機(jī)的能力毋庸置疑,ASML方面已經(jīng)確定,新型EUV設(shè)備將優(yōu)先供應(yīng)于美芯片巨頭英特爾。

預(yù)計(jì)到2023年,英特爾將會(huì)獲得第一批使用新系統(tǒng)制造的芯片。新芯片的組件數(shù)以百億計(jì),在未來(lái)幾年內(nèi)應(yīng)該都是最快、最高效的芯片。

其他制造技巧,包括在芯片上垂直構(gòu)建組件等英特爾和其他公司已經(jīng)開(kāi)始做的事情,應(yīng)該會(huì)不斷提高芯片性能。

結(jié)尾:

盡管過(guò)去,臺(tái)積電曾包攬了ASML大約70%的EUV產(chǎn)能,這是臺(tái)積電能夠成為代工“老大”的關(guān)鍵。

但此次,隨著ASML逐漸將最核心最先進(jìn)的技術(shù)資源逐步傾向于英特爾,恐怕將極大的削弱臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的地位,市場(chǎng)地位也將隨之受到影響,全球半導(dǎo)體芯片制程爭(zhēng)霸將迎來(lái)新一波的改朝換代。

部分資料參考:半導(dǎo)體行業(yè)觀察:《ASML是英特爾取勝的關(guān)鍵》,DT科技咖:《英特爾要如何超越臺(tái)積電?ASML的助攻是關(guān)鍵》,數(shù)碼小妖精:《英特爾若想超越臺(tái)積電,“討好”荷蘭ASML,或許是唯一機(jī)會(huì)》,十輪網(wǎng):《芯片擴(kuò)廠還不夠,英特爾超車臺(tái)積電“關(guān)鍵在ASML”》,DeepTech深科技:《ASML研制新一代光刻機(jī),耗資1．5億美元包含10萬(wàn)個(gè)部件》,華強(qiáng)微電子:《摩爾定律再續(xù)10年?ASML新一代EUV開(kāi)造!這家巨頭搶先!》

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