韓國(guó)首爾2021年10月20日 ／美通社／ －－ SK海力士宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。

HBM3是第四代HBM（High Bandwidth Memory）技術(shù)＊，由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價(jià)值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。

SK海力士去年7月在業(yè)界首次開始批量生產(chǎn)HBM2E＊ DRAM后，時(shí)隔僅1年零3個(gè)月開發(fā)了HBM3，鞏固了該市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)。

SK海力士強(qiáng)調(diào)，“通過(guò)此次HBM3，不僅實(shí)現(xiàn)了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，還大幅提高了質(zhì)量水平�！�

SK海力士研發(fā)的HBM3能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸 163部全高清（Full－HD）電影（每部5GB）。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78％。

與此同時(shí)，該產(chǎn)品還內(nèi)置了ECC校檢（On Die－Error Correction Code）。HBM3通過(guò)該內(nèi)置型ECC校檢可以自身修復(fù)DRAM單元（cell）的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，因此產(chǎn)品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實(shí)現(xiàn)24GB，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米（μm， 10－6m），相當(dāng)于A4紙厚度的1／3，然后使用TSV技術(shù)垂直連接12個(gè)芯片。

HBM3將搭載高性能數(shù)據(jù)中心，有望適用于提高人工智能（AI）完成度的機(jī)器學(xué)習(xí)（Machine Learning）和分析氣候變化，新藥開發(fā)等的超級(jí)計(jì)算機(jī)。

負(fù)責(zé)SK海力士DRAM開發(fā)的車宣龍副社長(zhǎng)表示，“該公司推出了全球首款HBM DRAM，引領(lǐng)了HBM2E市場(chǎng)，并在業(yè)界內(nèi)首次成功開發(fā)了HBM3。公司將鞏固在高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)力，同時(shí)提供符合ESG經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)品，盡最大努力提高客戶價(jià)值�！�