最近上海疫情、江蘇疫情導(dǎo)致很多半導(dǎo)體供應(yīng)鏈出現(xiàn)中斷的情況，昆山、江陰、南通等地聚集著很多半導(dǎo)體周邊產(chǎn)業(yè)，比如濕電子化學(xué)品。上個月還好屯了一批貨，要不然實(shí)驗(yàn)室都斷料了。

半導(dǎo)體材料行業(yè)不僅技術(shù)門檻高，也是一個產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細(xì)分行業(yè)多。上海很多半導(dǎo)體大廠的工人都在廠內(nèi)吃住一個月了。希望上海趕快好轉(zhuǎn)起來吧。

今天聊一下濕電子化學(xué)品。

其實(shí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用用到的材料很多，包括晶圓用的

硅片及硅基材料、光掩模版、電子氣體、光刻膠及試劑、CMP 拋光材料、工藝化學(xué)品、靶材及其他材料；封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料及其他封裝材料。

濕電子化學(xué)品，又稱超凈高純試劑或工藝化學(xué)品，指主體成分純度大于 99．99％，一般要求控制雜質(zhì)顆粒粒徑低于 0．5?m，金屬雜質(zhì)含量低于 ppm 級（10－6為 ppm，10－9為 ppb，10－12為 ppt）。雜質(zhì)離子和微粒數(shù)符合嚴(yán)格要求的化學(xué)試劑，屬于重要的晶圓制造材料之一；濕電子化學(xué)品屬于電子化學(xué)品領(lǐng)域的分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法刻蝕、清洗、顯影、剝離等）中使用的各種液體化工材料。按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用濕電子化學(xué)品和功能濕電子化學(xué)品，通用濕電子化學(xué)品一般為單組份、單功能、被大量使用的液體電子化學(xué)品，例如酸類、堿類、有機(jī)溶劑類等；功能濕電子化學(xué)品指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的化學(xué)品，如剝離液、顯影液、刻蝕液、清洗液等。

不同線寬的集成電路制程工藝中必須使用不同規(guī)格的超凈高純試劑進(jìn)行蝕刻和清洗；其中，G1 等級屬于低檔產(chǎn)品，G2 等級屬于中低檔產(chǎn)品 G3 等級屬于中高檔產(chǎn)品，G4 和 G5 等級則屬于高檔產(chǎn)品。濕電子化學(xué)品在各應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)有所不同，光伏一般只需要 G1 級水平；顯示面板和 LED 對濕電子化學(xué)品的等級要求一般為 G2、G3 水平；集成電路對濕電子化學(xué)品的純度要求較高，基本集中在 G3 以上水平，晶圓尺寸越大對純度要求越高，12 英寸晶圓制造一般要求 G4 以上水平；分立器件對濕電子化學(xué)品純度的要求略低于集成電路，基本集中在 G2 級水平。

濕電子化學(xué)品在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用，主要集中在集成電路（芯片）和分立器件晶圓的加工方面，其主要用途為清洗、顯影、蝕刻、剝離幾類。在進(jìn)行芯片制作前，一般要對晶圓的表面進(jìn)行拋光處理。主要步驟為機(jī)械研磨（使用氧化鋁顆粒）、蝕刻清洗（使用硝酸、醋酸、氫氧化鈉等）、晶圓拋光（使用硅土粉進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨）和表面清洗（氨水、過氧化氫、去離子水等）。晶圓表面處理后，還將對晶圓進(jìn)行一系列的復(fù)雜工藝，使純粹的硅晶圓變?yōu)?N型或 P 型硅晶圓。晶圓處理后，芯片制造流程與 TFT－LCD 陣列制程基本相同，均有成膜、涂膠、曝光、顯影、蝕刻、光刻膠剝離等流程。在圖形轉(zhuǎn)移過程中，一般需要進(jìn)行十幾次光刻和蝕刻工藝，對濕電子化學(xué)品需求較大。根據(jù) IC 線寬的不同，所需要的濕電子化學(xué)品等級亦有所差別。IC 線寬越窄，集成度越高，對濕電子化學(xué)品要求也越高。

       原文標(biāo)題 : 濕電子化學(xué)品