國產芯片制造再獲突破,自主芯片制造產業(yè)鏈一步步完善
國產芯片制造材料龍頭廠商之一的多氟多發(fā)布公告指出它的高純電子化學品材料已規(guī)模量產,并已正式成為臺積電的供應商,這意味著國產芯片制造材料也已取得突破。
國人對于芯片制造可能更多是光刻機這種設備,然而芯片制造是一條相當長的產業(yè)鏈,業(yè)界人士指出芯片制造產業(yè)鏈包括了八大設備和八大材料,值得高興的是國產芯片制造產業(yè)鏈共同努力下已一步步實現(xiàn)國產化。
在芯片設備方面進展較為迅速,此前業(yè)界人士指出國產芯片設備在清洗機、涂膠顯影機、離子注入機等設備方面都已達到14nm級別,目前正在研發(fā)7nm、5nm的設備,與世界先進水平的差距也比較小了,并且正處于加速追趕中,與全球先進水平的差距在快速縮短。
其中國產芯片制造設備當中,刻蝕機是進展最快的,國產刻蝕機已做到5nm,這也是國產設備中最先進的部分,刻蝕機已獲得臺積電的認可并被它采用,遺憾的是由于種種原因,技術最先進的國產刻蝕機目前只有臺積電采用,三星、Intel等考慮種種因素不愿采用中國產的設備,因此國產刻蝕機在全球市場占有的份額還比較低。
讓人遺憾的恰恰是廣受關注的光刻機拖了后腿,據(jù)稱國產光刻機最先進的也只能達到28nm工藝,這已成為中國芯片制造產業(yè)鏈最薄弱的環(huán)節(jié),原因在于光刻機是諸多設備當中最復雜的,畢竟ASML的光刻機也是集中歐美日等國先進元件的精華。不過國產光刻機企業(yè)上海微電子連續(xù)斬獲訂單,正為它帶來源源不斷的收入,可望幫助它加速技術研發(fā),在光刻機技術方面加速追趕ASML。
芯片制造材料可能被國人所忽視,然而材料其實對于芯片制造非常重要,此前三星就因為被日本卡主了光刻膠等材料一度陷入停產恐慌,為此韓國集中全國科研技術研發(fā)光刻膠等材料,迅速解決問題,擺脫了日本的制約。
韓國用兩三年時間研發(fā)出自己的芯片制造材料,說明芯片制造材料也不是美國和日本制約其他國家發(fā)展芯片制造的重要障礙,只要集中力量可以很快突破。
多氟多迅速量產高純電子化學品材料,說明中國在材料研發(fā)方面確實也有厚實的基礎,正因為我們所擁有的扎實基礎,得以迅速研發(fā)相關的芯片制造材料,可以預期其他與芯片制造的材料也將陸續(xù)解決。
中國對芯片制造的重視主要還是近幾年,而這幾年時間確實也在芯片制造產業(yè)鏈方面加速完善,可以預期只要再花幾年時間,國產芯片制造產業(yè)鏈解決了光刻機這個瓶頸之后,國產芯片制造完全自主化就將實現(xiàn),到那時候誰也無法阻止中國芯片制造的發(fā)展。
目前中國已成為全球第三大芯片制造產能大國,芯片制造工藝也已推進至14nm,7nm工藝在中芯國際的推動下也在加速量產,業(yè)界人士指出一旦中芯國際的7nm工藝量產,那么國內對芯片的需求將有九成得以滿足。
芯片制造產業(yè)鏈的成型,代表著國產芯片的最后一個環(huán)節(jié)即將攻克,這是中國制造的巨大成功,體現(xiàn)了只要堅持艱苦奮斗,誰也擋不住中國制造前進的腳步,自主創(chuàng)新將成為現(xiàn)實。
原文標題 : 國產芯片制造再獲突破,自主芯片制造產業(yè)鏈一步步完善
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