英飛凌新一代IGBT技術（IGBT 7）

為了實現高效率低成本，電解制氫和儲能系統(tǒng)對功率密度和開關頻率的要求越來越高，英飛凌新一代IGBT技術（IGBT 7）憑借微溝槽（Micro Pattern Trench）設計，成為應對這一挑戰(zhàn)的核心利器。

IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數，從而實現極低的導通壓降和優(yōu)化的開關性能。

市場應用向高頻化與高功率密度發(fā)展的趨勢對功率半導體的散熱提出了前所未有的挑戰(zhàn)，因此我們準備了約3萬字的功率半導體器件熱設計系列文章，涵蓋熱阻、結溫、熱容等多方面知識，從熱阻基礎到瞬態(tài)熱測量，從結溫獲取到PCB設計，為工程師的熱設計難題提供專業(yè)、權威且實用的技術參考。

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