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“印鈔機(jī)”中芯國(guó)際：科創(chuàng)板上市

2020-07-17 10:21

億歐網(wǎng)

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2019年，中芯國(guó)際已宣布量產(chǎn)14nm芯片。且細(xì)看中芯國(guó)際的工藝研發(fā)路線可以發(fā)現(xiàn)，中芯國(guó)際在14nm量產(chǎn)后，可能會(huì)跳過(guò)10nm工藝，朝7nm的目標(biāo)邁進(jìn)。

中芯國(guó)際此前多次表示：中芯國(guó)際的下一代工藝是N＋1工藝。雖然中芯國(guó)際沒(méi)有透露具體細(xì)節(jié)，只是稱(chēng)下一代工藝與14nm相比，性能提升了20％，功耗降低了57％，邏輯面積縮小了63％，SoC面積減少了55％。

換算下來(lái)，這正是7nm的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

一直以來(lái)，英特爾是按照單位面積內(nèi)晶體管的數(shù)量來(lái)判斷芯片工藝的標(biāo)準(zhǔn)。英特爾10nm芯片一個(gè)單位占面積54＊44nm，每平方毫米1．008億個(gè)晶體管；臺(tái)積電7nm芯片一個(gè)單位占面積57＊40nm，每平方毫米1．0123億個(gè)晶體管。而中芯國(guó)際的N＋1代工藝，也達(dá)到了7nm的標(biāo)準(zhǔn)。

如果中芯國(guó)際能試產(chǎn)N＋1工藝芯片，或能夠小批量生產(chǎn)N＋1工藝芯片，中芯國(guó)際將成為全球第三家掌握10nm以下工藝的芯片代工企業(yè)。

除此之外，中芯國(guó)際的FinFET技術(shù)研發(fā)也在不斷向前推進(jìn)。第一代FinFET（14nm）已成功量產(chǎn)，第二代FinFET（12nm工藝）正在研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)。

中芯國(guó)際CEO梁孟松曾多次表示，目前中芯國(guó)際無(wú)需EUV光刻機(jī)，也能實(shí)現(xiàn)7nm工藝的生產(chǎn)，臺(tái)積電第一代7nm工藝芯片也沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)。未來(lái)，中芯國(guó)際致力于在先進(jìn)制程上不斷突破。

半導(dǎo)體行業(yè)由于技術(shù)難，壟斷性高一直被譽(yù)為“印鈔機(jī)”行業(yè)。此次中芯國(guó)際上市后，希望其能憑借資本的優(yōu)勢(shì)，促進(jìn)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)同發(fā)展，扛起“國(guó)產(chǎn)替代”大旗。

不久的將來(lái)，中芯國(guó)際不僅是投資者的“印鈔機(jī)”，也能成為半導(dǎo)體行業(yè)的“印鈔機(jī)”。

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