MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。 M查看詳情>RAM主體結(jié)構(gòu)由三層結(jié)構(gòu)的MTJ（magnetic tunnel junction）構(gòu)成：自由層（free layer），固定層（fixed layer）和氧化層（Tunneling oxide）。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。STT-MTJ利用自由層和固定層磁矩方向來(lái)存儲(chǔ)信息，平行狀態(tài)（parallel），電阻為低阻；非平行狀態(tài)（anti-parallel），電阻為高阻。存儲(chǔ)器讀取電路是通過(guò)加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲(chǔ)器的信息。
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PCM和MRAM將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先
前言:實(shí)現(xiàn)硬件方面的復(fù)興,才能充分挖掘人工智能時(shí)代的潛力。在性能、功耗和密度(面積/成本)方面得到顯著改善的新興存儲(chǔ)可以滿足邊緣計(jì)算、近邊緣和云計(jì)算的需求。
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