DRAM
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而查看詳情>導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
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SK海力士鞏固市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán),開(kāi)發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
韓國(guó)首爾2021年10月20日 /美通社/ -- SK海力士宣布業(yè)界首次成功開(kāi)發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術(shù)*,由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片組合而成,是一種高價(jià)值產(chǎn)品,創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度
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威剛 Q3 財(cái)報(bào)分析:營(yíng)收大增 33%,DRAM 或現(xiàn)漲勢(shì)
10月8日訊,威剛科技(ADATA)設(shè)立于2001年5月,創(chuàng)辦人為擔(dān)任董事長(zhǎng)兼執(zhí)行長(zhǎng)職務(wù)之陳立白先生。陳董事長(zhǎng)創(chuàng)立威剛之初,即懷抱成為「全球記憶體應(yīng)用產(chǎn)品之領(lǐng)導(dǎo)品牌廠商」的理想,營(yíng)業(yè)初期系以內(nèi)存模組為主要產(chǎn)品線,隨后著眼于閃存的應(yīng)用推廣,遂投入閃存存貯器應(yīng)用產(chǎn)品之開(kāi)發(fā)
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熱點(diǎn)丨紫光DRAM落地重慶,9-12月存儲(chǔ)市場(chǎng)又掀波瀾
加上在重慶投資的關(guān)鍵一役,從南京、武漢、成都到重慶,紫光集團(tuán)在國(guó)內(nèi)布局了制造和研發(fā)“芯云”的四大生產(chǎn)基地。隨著紫光DRAM落地重慶,今年最后一季的存儲(chǔ)市場(chǎng)將發(fā)生怎樣的變化?國(guó)內(nèi)布局終站:紫光DRAM落
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