僅2024年這一年，中國(guó)就新增了幾十家芯片制造企業(yè)
在芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)這三個(gè)主要環(huán)節(jié)中，芯片制造無疑是含金量最高的，門檻也是最高的。 所以大家也可以看到，如今芯片制造技術(shù)，其實(shí)是掌握在少數(shù)的幾家企業(yè)手中，并且是強(qiáng)者愈強(qiáng)，弱者越來越?jīng)]有競(jìng)爭(zhēng)資格了。 比如前五大芯片代工企業(yè)，臺(tái)積電、三星、中芯國(guó)際、聯(lián)電、格芯這五家，就占了全球90%以上的份額
2nm開始生產(chǎn)：臺(tái)積電啟動(dòng)每月5000片生產(chǎn)工作！
快科技1月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電已經(jīng)開始2nm工藝的生產(chǎn)。 報(bào)道中提到，臺(tái)積電目前在本土建立了兩個(gè)2nm晶圓生產(chǎn)基地，并將在幾年內(nèi)達(dá)到最大產(chǎn)能，從而滿足蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等多家客戶的需求
通過高頻電容檢測(cè)芯片測(cè)量管內(nèi)液體介電常數(shù)變化的水流氣泡探測(cè)器
工采網(wǎng)代理的水流氣泡探測(cè)器 - MWFD（Minyuan Water Flow Detector）是一款通過高頻電容檢測(cè)芯片測(cè)量管內(nèi)液體介電常數(shù)的變化：不同電容值反映管內(nèi)是空氣還是液體，當(dāng)檢測(cè)到空氣時(shí)，輸出高電平進(jìn)行報(bào)警
國(guó)內(nèi)最大碳化硅外延片企業(yè)即將港股IPO
前言： 中國(guó)碳化硅功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)自2019年起，市場(chǎng)規(guī)模從7億元迅速擴(kuò)大至2023年的41億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到53.7%。 與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)碳化硅外延片市場(chǎng)亦從2019年的4億元快速增長(zhǎng)至2023年的17億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為41.2%
24小時(shí)兩架客機(jī)事故，連虧5年的波音再喊救命，美國(guó)制造不行了
12月29日9時(shí)許韓國(guó)一架波音737-800著陸時(shí)偏離跑道，撞上機(jī)場(chǎng)圍墻爆炸起火，飛機(jī)幾乎全毀，177人死亡，2人失蹤，2人獲救；隨后媒體想起就在24小時(shí)之內(nèi)，荷蘭皇家航空也有一架波音737-800發(fā)生故障
三星的尷尬：韓國(guó)不相信它了，寧愿花1000億，另造一家“韓積電”
一直以來，三星是僅次于臺(tái)積電的全球第二大芯片代工企業(yè)。 在技術(shù)上，三星這些年似乎是與臺(tái)積電不相上下，大家一起進(jìn)入10nm，一起進(jìn)入7nm、5nm，甚至在3nm上，三星還領(lǐng)先了半年，采用了更先進(jìn)的GAAFET晶體管技術(shù)
車載 GaN 功率器件進(jìn)入發(fā)展拐點(diǎn)！
芝能智芯出品 隨著電動(dòng)汽車及相關(guān)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對(duì)高性能功率器件的需求與日俱增，氮化鎵（GaN）功率器件憑借自身優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角。 在汽車領(lǐng)域，GaN 器件具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)頻率、緊湊設(shè)計(jì)等長(zhǎng)處，應(yīng)用潛力巨大
英諾賽科公告H股配發(fā)結(jié)果，氮化鎵龍頭蓄勢(shì)待發(fā)
文源 | 源媒匯 作者 | 胡青木 編輯 | 蘇淮 12月27日，英諾賽科科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）公告配發(fā)結(jié)果，公司全球發(fā)售約發(fā)售4536.40萬股H股股份，香港公開發(fā)售占約10%，國(guó)際發(fā)售占約90%
英偉達(dá)、AMD、英特爾，芯片三巨頭押注同一家AI獨(dú)角獸？
作者｜Eric，編輯｜蔓蔓周“芯片行業(yè)算力革命——把電換成光�！庇ミ_(dá)、AMD、英特爾，這三家互為對(duì)手的企業(yè)，竟然因?yàn)橐患页鮿?chuàng)企業(yè)站到了一起。12月13日，硅谷光互聯(lián)I/O芯片設(shè)計(jì)公司Ayar Lab
揭秘英偉達(dá)，黃仁勛如何引領(lǐng)公司走向全球市值巔峰
11月，英偉達(dá)公布了2025財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)表明，英偉達(dá)第三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收351億美元；在GAAP規(guī)則下，實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)193.09億美元，同比增長(zhǎng)109%，遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。英偉達(dá)一直是加速計(jì)算領(lǐng)域的先
卷向高端市場(chǎng)的晶華微，充當(dāng)“國(guó)產(chǎn)替代”先鋒
作者 | 謝春生編輯 | 蘇淮新領(lǐng)導(dǎo)班子執(zhí)掌下的晶華微，傳來新訊號(hào)。12月20日晚間，晶華微發(fā)布公告稱，公司擬以2億元購(gòu)買深圳芯邦科技股份有限公司（下稱“芯邦科技”）持有的深圳芯邦智芯微電子有限公司（下稱“智芯微”）100%股權(quán)
股價(jià)猛漲超6倍，寒武紀(jì)市值超2800億
2024年，寒武紀(jì)在資本市場(chǎng)贏麻了。自年初錄得95.85元/股（前復(fù)權(quán)，下同）的低點(diǎn)后，寒武紀(jì)的股價(jià)一路狂飆，高點(diǎn)至676.77元/股，累計(jì)漲幅6.06倍。截至12月20日收盤，寒武紀(jì)收漲6.28%，
通過使用增強(qiáng)型雙位Δ∑技術(shù)來實(shí)現(xiàn)其高精度特點(diǎn)的ADC芯片
工采網(wǎng)代理的國(guó)產(chǎn)ADC芯片 - MS1808是一款帶有采樣速率8kHz ~ 96kHz的立體聲A/D轉(zhuǎn)換器，適合于面向消費(fèi)者的專業(yè)音頻系統(tǒng)。MS1808通過使用增強(qiáng)型雙位Δ∑技術(shù)來實(shí)現(xiàn)其高精度的特點(diǎn)。MS1808是單端的模擬輸入所以不需要外部器件
瘋狂的AI：英偉達(dá)一年漲180%，臺(tái)積電漲80%，寒武紀(jì)漲400%
其實(shí)嚴(yán)格的來講，從2022年開始，隨著OpenAI推出了ChatGPT，全球的AI產(chǎn)業(yè)就火爆了。 然后在2023年、2024年持續(xù)火爆，全球真的是百模，甚至是千模大戰(zhàn)，大家都想拼一下AI產(chǎn)業(yè)。 當(dāng)然，賺的最多的，其實(shí)還真不是這些AI企業(yè)，更多的其實(shí)是背后這些AI芯片相關(guān)的企業(yè)
英偉達(dá)的下一代GPU快要來了嗎？
芝能智芯出品 英偉達(dá)的下一代 B300 GPU 承載著行業(yè)諸多期待，它在算力、內(nèi)存、功耗等關(guān)鍵指標(biāo)上有著顯著升級(jí)。這款產(chǎn)品在英偉達(dá)的布局里是關(guān)鍵棋子，在AI 產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展浪潮下應(yīng)運(yùn)而生。 目前正處在上市前夕的關(guān)鍵籌備階段，試圖解決前代遺留問題的同時(shí)，進(jìn)一步鞏固英偉達(dá)的市場(chǎng)統(tǒng)治力
攜手共進(jìn)，江波龍與電子五所在中山展開深度交流
近日，半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)江波龍與工業(yè)和信息化部電子第五研究所（中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室，以下簡(jiǎn)稱“電子五所”）在江波龍中山存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)園展開了深度交流。 江波龍?jiān)诠I(yè)和汽車
明年存儲(chǔ)，令人憂心
存儲(chǔ)價(jià)格，時(shí)漲時(shí)落。 在2024年下半年，存儲(chǔ)行業(yè)再度步入下行周期，其價(jià)格后續(xù)的發(fā)展態(tài)勢(shì)引發(fā)了廣泛關(guān)注。至2025年，存儲(chǔ)價(jià)格究竟會(huì)走向何方？是延續(xù)下行趨勢(shì)，還是觸底反彈？這一系列問題已然成為業(yè)界內(nèi)外聚焦的核心
40歲的Windows，旁觀純血鴻蒙一斗二
國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)們后來居上 撰文/ 陳鄧新 編輯/ 李 季 排版/ Annalee 長(zhǎng)久以來，Windows一直是桌面操作系統(tǒng)的代名詞
舞臺(tái)燈光/工業(yè)控制-雙通道集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案
SS8841是率能推出的一款雙通道H橋驅(qū)動(dòng)芯片，工作電壓范圍：8.2V～40V，采用PWM接口控制輸出，為打印機(jī)和其它電機(jī)一體化應(yīng)用提供一種雙通道集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案，適用于舞臺(tái)燈光、工業(yè)控制、POS打印機(jī)、機(jī)器人等領(lǐng)域，并能實(shí)現(xiàn)與DRV8841的完美pin to pin兼容替代
英特爾的新突破：RibbonFET能帶其重回技術(shù)巔峰？
芝能智芯出品 英特爾在2024年的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM 2024）上展示了其在晶體管技術(shù)領(lǐng)域的最新突破——基于Silicon RibbonFET CMOS的6nm柵極長(zhǎng)度技術(shù)，代表了當(dāng)今晶體管設(shè)計(jì)的最前沿，為持續(xù)推動(dòng)摩爾定律的延展提供了基礎(chǔ)
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