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日本首臺 EUV 光刻機開始安裝

2024-12-20 15:44

來源： OFweek人工智能網(wǎng)

日本半導(dǎo)體迎來特別時刻 —— 首次引入的量產(chǎn)用 “極紫外光刻機（EUV）” 開始安裝。

據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日報道，日本初創(chuàng)晶圓代工廠 Rapidus 已成功接收其訂購的首臺 ASML EUV 光刻機，并于 12 月 14 日開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝。

Rapidus 購入的光刻機由荷蘭供應(yīng)商 ASML 生產(chǎn)，型號為 NXE:3800E，晶圓吞吐量相較上代提升 37.5%，可以滿足 Rapidus 對于 2nm 芯片的制造需求。

該臺 EUV 系統(tǒng)體積龐大，完整設(shè)備重達 71 噸，高約 3.4 米，每個完整的單元大約和一頭鯨魚一樣大，它結(jié)合了特殊的光源、透鏡和其他技術(shù)，對振動和其他干擾的敏感度較低。

安裝地點位于日本北海道千歲市的創(chuàng)新集成制造工廠（iim-1）。分四階段進行安裝，設(shè)備安裝預(yù)計在本月底完。

Rapidus CEO 小池淳義表示，公司將從北海道和日本向全球提供最先進半導(dǎo)體。

除 EUV 光刻機外，Rapidus 還將在其 iim-1 工廠安裝更多先進的半導(dǎo)體制造輔助設(shè)備以及全自動材料處理系統(tǒng)，以優(yōu)化 2nm GAA 半導(dǎo)體工藝的制造，并計劃繼續(xù)建設(shè)新的半導(dǎo)體代工服務(wù)，稱為快速和統(tǒng)一制造服務(wù)（rums）。

Rapidus 正在與美國科技巨頭國際商業(yè)機器公司 IBM 合作開發(fā)多閾值電壓 GAA（全環(huán)繞柵極）晶體管技術(shù)，計劃在 2025 年春季使用最先進的 2 納米工藝開發(fā)原型芯片，并在 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。這與臺積電計劃 2025 年開始量產(chǎn) 2nm 芯片的時間表相競爭。

ASML 是目前全球唯一的 EUV 光刻機供應(yīng)商，每臺設(shè)備成本約 1.8 億美元以上，去年全球僅交貨了 42 臺。

日本曾在 1980 年代占據(jù)全球超過 50% 的半導(dǎo)體市場份額，但到 2000 年代已退出先進邏輯制程芯片的競爭。當(dāng)?shù)卣Ｍ栌?EUV 光刻工具大規(guī)模應(yīng)用，重振日本先進芯片生產(chǎn)能力。