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2021年6月8日，美國國會(huì)參議院通過了長達(dá)1400多頁《2021美國創(chuàng)新與競爭法案》，這項(xiàng)法案計(jì)劃撥款約2500億美元。

《美國創(chuàng)新與競爭法案》源自舒默和托德·楊去年共同提出的《無盡前沿法案》。2021年初，美國國會(huì)曾醞釀要通過多項(xiàng)能夠得到跨黨派支持和規(guī)模宏大的法案，以增強(qiáng)美國的科技創(chuàng)新和重建美國的制造業(yè)。在這些法案中，由參議院多數(shù)黨領(lǐng)袖、紐約州民主黨參議員舒默和印第安納州共和黨參議員托德·楊共同起草的《無盡前沿法案》曾被認(rèn)為最有可能高票通過。

然而，幾個(gè)月下來，該法案經(jīng)歷了曲折復(fù)雜的變化。參議員們吵得最兇的，是資金如何分配。每個(gè)人都想在法案里填上一筆，確保自己能分到一杯羹，在這個(gè)過程中，但凡出現(xiàn)修改，就必須再次重復(fù)流程。華盛頓州參議員瑪麗亞·坎特威爾要求法案里加入幫助波音公司的條款，波音公司的生產(chǎn)基地在華盛頓州；密歇根州民主黨參議員加里·彼得斯要求拿出20億，緩解汽車廠關(guān)閉的問題，密歇根州最大的城市就是底特律。參議員們提出了多達(dá)230項(xiàng)修正案。

原法案中為新技術(shù)和創(chuàng)新理事會(huì)提供的1000億美元預(yù)算被砍為290億美元，其他預(yù)算則被轉(zhuǎn)給美國能源部在幾個(gè)州的實(shí)驗(yàn)室。共和黨成員聲稱，他們會(huì)在最終的投票時(shí)，將《無盡前沿法案》的內(nèi)容“全部刪除”。

2021年5月18日，舒默推出了一個(gè)新的替代案，即《美國創(chuàng)新與競爭法案》，用以取代《無盡前沿法案》，除了在NSF設(shè)立技術(shù)與創(chuàng)新學(xué)部、在未來五年內(nèi)為NSF撥款810億美元（其中包括給新成立的學(xué)部分配290億美元）、五年內(nèi)撥款100億美元由商務(wù)部主導(dǎo)成立10個(gè)區(qū)域技術(shù)創(chuàng)新中心等措施之外，又增加了撥款527億美元用于提升國內(nèi)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)，撥款15億美元用于5G創(chuàng)新等內(nèi)容。

該法案提交給美國國會(huì)參議院的有3個(gè)版本，分別為15頁的簡要概述、85頁的簡版和1445頁的詳版。

未來5年投入大約1200億美元，用于包括人工智能、半導(dǎo)體、量子計(jì)算、先進(jìn)通信、生物技術(shù)和先進(jìn)能源在內(nèi)的關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)和先進(jìn)研究、商業(yè)化、教育和培訓(xùn)項(xiàng)目。

該法案主要涉及了4個(gè)立法目標(biāo)：

1 在國家科學(xué)基金會(huì)（National Science Foundation，NSF）設(shè)立一個(gè)新的技術(shù)和創(chuàng)新理事會(huì)（DTI，Directorate for Technology and Innovation）

2 創(chuàng)設(shè)區(qū)域技術(shù)中心

3 針對(duì)經(jīng)濟(jì)安全、科學(xué)、研究、創(chuàng)新、制造和就業(yè)建立一個(gè)戰(zhàn)略報(bào)告體系

4 設(shè)立供應(yīng)鏈韌性和危機(jī)應(yīng)對(duì)計(jì)劃的項(xiàng)目。

該法案的另一部分是《2021年戰(zhàn)略競爭法案》，這部分法案致力于讓美國減少對(duì)中國供應(yīng)鏈的依賴，加強(qiáng)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力，以及在科研領(lǐng)域增加研究經(jīng)費(fèi)等。

為應(yīng)對(duì)中國的科技競爭，該法案還提出與盟友共享技術(shù)戰(zhàn)略，包括技術(shù)控制和標(biāo)準(zhǔn)，以及關(guān)于開發(fā)和獲取關(guān)鍵技術(shù)的戰(zhàn)略。

2022年1月25日美國眾議院公布了2900多頁的《美國競爭法案》，其中有520億美元關(guān)于芯片投資的內(nèi)容，與2021年6月9日參議院通過的《美國創(chuàng)新與競爭法案》相同。

美國運(yùn)用了一系列手段，目的就是想讓芯片制造業(yè)回流美國，重新奪回高科技領(lǐng)域的控制權(quán)。

雷蒙多認(rèn)為：“半導(dǎo)體問題不會(huì)在一兩個(gè)月或12個(gè)月內(nèi)得到解決，需要很長時(shí)間才能解決。這是一個(gè)重大的國家安全問題。美國國內(nèi)不生產(chǎn)任何領(lǐng)先的尖端微型芯片，唯一的解決辦法是聯(lián)邦政府鼓勵(lì)公司在美國生產(chǎn)這些芯片，這將需要數(shù)年時(shí)間�！�

2021年10月26日，臺(tái)積電張忠謀給美國潑冷水：美國過去半導(dǎo)體制造市場占有率曾達(dá)42％，目前降至17％，美國政府積極推動(dòng)半導(dǎo)體在地制造，希望讓半導(dǎo)體制造市場占有率回升。他認(rèn)為，美國供應(yīng)鏈不完整，且生產(chǎn)成本高，美國半導(dǎo)體在本地制造不可能會(huì)成功。

至于英特爾積極鼓吹美國政府補(bǔ)貼半導(dǎo)體廠，張忠謀表示，英特爾的動(dòng)機(jī)是瞄準(zhǔn)美國政府的補(bǔ)貼，只是這對(duì)亞洲，甚至是全世界的半導(dǎo)體廠都是挑戰(zhàn)�！叭绻�你在美國制造芯片，但價(jià)格沒有更便宜，或者質(zhì)量沒有更好，這將對(duì)制造商的決定產(chǎn)生強(qiáng)烈影響�！�

根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）的數(shù)據(jù)，全球75％的半導(dǎo)體產(chǎn)能集中在東亞，而美國半導(dǎo)體公司占全球產(chǎn)能的比例從1990年的37％一直跌到了現(xiàn)在的12％。美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)估計(jì)，未來只有6％的全球生產(chǎn)中心將設(shè)在在美國。

相比之下，在未來十年，中國大陸預(yù)計(jì)將增加約40％的產(chǎn)能，成為全球最大的半導(dǎo)體制造基地。

據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）估計(jì)，如果要在美國建新廠的話，新廠未來十年的總持有成本將比中國臺(tái)灣、韓國、新加坡高出30％，比中國大陸甚至高出37％至50％。

臺(tái)積電正在美國亞利桑那州廠建廠，作為5納米芯片的生產(chǎn)基地之一，預(yù)計(jì)2024年開始量產(chǎn)，月產(chǎn)能可達(dá)2萬片，2021年至2029年的投資將達(dá)到約120億美元。臺(tái)媒估計(jì)，臺(tái)積電還將在此地建四、五座廠。

然而，受到美國土木、電力系統(tǒng)缺工嚴(yán)重的影響，臺(tái)積電不僅建廠成本大增，進(jìn)度也比預(yù)期大為落后。原本預(yù)計(jì)明年安裝設(shè)備，現(xiàn)在也只能往后推遲。